Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Транзисторы цифровые (BRTs) › Rohm › UMG11NTR

UMG11NTR

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

180 шт. со склада г.Москва, срок 4-7 дней

130 руб.

Мин. кол-во для заказа 2 шт.

от 5 шт. — 78 руб.

от 10 шт. — 71 руб.

от 100 шт. — 52.25 руб.

2 шт. на сумму 260 руб.

Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа

Альтернативные предложения3

Номенклатурный номер: 8008352283

Бренд: Rohm

Описание

Электроэлемент

Rf Transistor, 50V, 0.1A, Sot-353 Rohs Compliant: Yes |Rohm UMG11NTR

Технические параметры

Brand	ROHM Semiconductor
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	50 V
Configuration	Dual
Continuous Collector Current	100 mA
DC Collector/Base Gain hfe Min	80
DC Current Gain hFE Max	80
Factory Pack Quantity	3000
Height	0.77 mm
Length	2 mm
Manufacturer	ROHM Semiconductor
Maximum Operating Temperature	+150 C
Mounting Style	SMD/SMT
Package / Case	TUMT-5
Packaging	Reel
Pd - Power Dissipation	300 mW
Peak DC Collector Current	100 mA
Product Category	Bipolar Transistors-Pre-Biased
RoHS	Details
Series	UMG11N
Transistor Polarity	NPN
Typical Input Resistor	2.2 kOhms
Typical Resistor Ratio	21
Width	1.7 mm
Pd - рассеивание мощности	300 mW
Вид монтажа	SMD/SMT
Высота	0.77 mm
Длина	2 mm
Другие названия товара №	UMG11N
Категория продукта	Биполярные транзисторы - С предварительно заданным
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)	80
Конфигурация	Dual
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.	80
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	50 V
Непрерывный коллекторный ток	100 mA
Пиковый постоянный ток коллектора	100 mA
Подкатегория	Transistors
Полярность транзистора	NPN
Размер фабричной упаковки	3000
Серия	UMG11N
Тип продукта	BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
Типичное входное сопротивление	2.2 kOhms
Типичный коэффициент деления резистора	21
Торговая марка	ROHM Semiconductor
Упаковка / блок	TUMT-5
Ширина	1.7 mm