RGS80TSX2GC11, IGBTs 10us Short-Circuit Tolerance, 1200V 40A, Field Stop Trench IGBT
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
888 шт., срок 5-7 недель
1 920 руб.
от 25 шт. —
1 460 руб.
от 100 шт. —
1 270 руб.
от 450 шт. —
1 174.51 руб.
1 шт.
на сумму 1 920 руб.
Плати частями
от 480 руб. × 4 платежа
от 480 руб. × 4 платежа
Описание
Unclassified
The ROHM field stop trench IGBT mainly used in PFC, UPS, IH and power conditioner. The power dissipation is 555 watts.
Технические параметры
Configuration | Single |
Maximum Collector Emitter Voltage | 1200 V |
Maximum Continuous Collector Current | 80 A |
Maximum Gate Emitter Voltage | ±30V |
Maximum Power Dissipation | 555 W |
Number of Transistors | 1 |
Package Type | TO-247N |
Pin Count | 3 |
Collector Emitter Saturation Voltage | 1.7В |
Collector Emitter Voltage Max | 1.2кВ |
Continuous Collector Current | 80А |
Power Dissipation | 555Вт |
Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
Максимальная Рабочая Температура | 175°C |
Монтаж транзистора | Through Hole |
Стиль Корпуса Транзистора | TO-247N |
Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet RGS80TSX2GC11
pdf, 919 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.