RGS50TSX2DGC11, IGBTs 10us Short-Circuit Tolerance, 1200V 25A, Built-In FRD, Field Stop Trench IGBT
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
460 шт., срок 5-7 недель
1 810 руб.
от 25 шт. —
1 380 руб.
от 100 шт. —
1 190 руб.
от 450 шт. —
1 105.42 руб.
1 шт.
на сумму 1 810 руб.
Плати частями
от 454 руб. × 4 платежа
от 454 руб. × 4 платежа
Описание
Unclassified
Технические параметры
Collector Emitter Saturation Voltage | 1.7В |
Collector Emitter Voltage Max | 1.2кВ |
Continuous Collector Current | 50А |
Power Dissipation | 395Вт |
Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
Максимальная Рабочая Температура | 175 C |
Стиль Корпуса Транзистора | TO-247N |
Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet RGS50TSX2DGC11
pdf, 988 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.