IKWH50N65WR6XKSA1, IGBTs Y
![IKWH50N65WR6XKSA1, IGBTs Y](https://static.chipdip.ru/lib/264/DOC025264062.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 070 руб.
от 10 шт. —
940 руб.
от 25 шт. —
758 руб.
от 100 шт. —
608.02 руб.
1 шт.
на сумму 1 070 руб.
Плати частями
от 269 руб. × 4 платежа
от 269 руб. × 4 платежа
Описание
Unclassified
The Infineon's 50 A reverse conducting TRENCHSTOP 5 WR6 IGBT comes in high creep age and clearance TO-247-3-HCC package.
Технические параметры
Channel Type | N |
Configuration | Single |
Maximum Collector Emitter Voltage | 650 V |
Maximum Continuous Collector Current | 50 A |
Maximum Gate Emitter Voltage | ±20V |
Maximum Power Dissipation | 103 W |
Mounting Type | Through Hole |
Number of Transistors | 1 |
Package Type | TO-247-3-HCC |
Pin Count | 3 |
Transistor Configuration | Single |
Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet IKWH50N65WR6XKSA1
pdf, 1664 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов