FF600R07ME4B11BPSA1, IGBT Modules N
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
37 850 руб.
1 шт.
на сумму 37 850 руб.
Плати частями
от 9 464 руб. × 4 платежа
от 9 464 руб. × 4 платежа
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\IGBT Modules
FF600R07ME4_B11, SP005422470
Технические параметры
Collector Emitter Saturation Voltage | 1.55В |
Collector Emitter Voltage Max | 650В |
Continuous Collector Current | 700А |
DC Ток Коллектора | 700А |
Power Dissipation | 1.8кВт |
Выводы БТИЗ | Press Fit |
Конфигурация БТИЗ | Dual |
Линейка Продукции | EconoDUAL 3 |
Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
Максимальная Температура Перехода Tj | 150°C |
Монтаж транзистора | Panel |
Напряжение Коллектор-Эмиттер | 650В |
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on) | 1.55В |
Рассеиваемая Мощность | 1.8кВт |
Стиль Корпуса Транзистора | Module |
Технология БТИЗ | IGBT 4(Trench/Field Stop) |
Maximum Collector Emitter Voltage | 650 V |
Maximum Gate Emitter Voltage | ±20V |
Package Type | AG-ECONOD-411 |
Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet FF600R07ME4B11BOSA1
pdf, 717 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов