QH8MC5TCR, MOSFETs 60V 3.0A-3.5A, Dual Nch+Pch, TSMT8, Small Signal MOSFET
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
33406 шт., срок 5-7 недель
260 руб.
от 10 шт. —
200 руб.
от 100 шт. —
150 руб.
от 500 шт. —
114.99 руб.
1 шт.
на сумму 260 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения1
Описание
Unclassified
Технические параметры
| Channel Type | N and P Channel |
| Drain Source On State Resistance N Channel | 0.07Ом |
| Drain Source On State Resistance P Channel | 0.07Ом |
| Power Dissipation N Channel | 1.5Вт |
| Power Dissipation P Channel | 1.5Вт |
| Квалификация | - |
| Количество Выводов | 8вывод(-ов) |
| Линейка Продукции | - |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 60В |
| Напряжение Истока-стока Vds, N Канал | 60В |
| Напряжение Истока-стока Vds, P Канал | 60В |
| Непрерывный Ток Стока | 3А |
| Непрерывный Ток Стока, N Канал | 3А |
| Непрерывный Ток Стока, P Канал | 3А |
| Полярность Транзистора | N and P Channel |
| Пороговое Напряжение Vgs | 2.5В |
| Рассеиваемая Мощность | 1.5Вт |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.07Ом |
| Стиль Корпуса Транзистора | TSMT |
| Вес, г | 1 |
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
