NXH50C120L2C2ESG, IGBT Modules TMPIM 1200V 50A CIB

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

25 620 руб.

от 12 шт. — 21 970 руб.

1 шт. на сумму 25 620 руб.

Плати частями
от 6 405 руб. × 4 платежа

Номенклатурный номер: 8008404359

Артикул: NXH50C120L2C2ESG

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\IGBT Modules

Collector Emitter Saturation Voltage	1.8В
Collector Emitter Voltage Max	1.2кВ
Continuous Collector Current	50А
DC Ток Коллектора	50А
Выводы БТИЗ	Solder
Количество Выводов	26вывод(-ов)
Конфигурация БТИЗ	Three Phase CIB(Converter+Inverter+Brake)
Максимальная Рабочая Температура	150°C
Максимальная Температура Перехода Tj	150°C
Монтаж транзистора	Panel
Напряжение Коллектор-Эмиттер	1.2кВ
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on)	1.8В
Полярность Транзистора	Шесть N Каналов
Стиль Корпуса Транзистора	DIP
Вес, г	1

pdf, 397 КБ

Мы рекомендуем