RGS80TSX2DGC11, IGBTs 10us Short-Circuit Tolerance, 1200V 40A, Built-In FRD, Field Stop Trench IGBT
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1830 шт., срок 5-7 недель
3 000 руб.
от 10 шт. —
2 520 руб.
от 25 шт. —
2 330 руб.
от 50 шт. —
2 027.51 руб.
1 шт.
на сумму 3 000 руб.
Плати частями
от 750 руб. × 4 платежа
от 750 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения1
Описание
Unclassified
The ROHM field stop trench IGBT mainly used in general inverter, UPS, PV Inverter and power conditioner.
Технические параметры
Configuration | Single |
Maximum Collector Emitter Voltage | 1200 V |
Maximum Continuous Collector Current | 80 A |
Maximum Gate Emitter Voltage | ±30V |
Maximum Power Dissipation | 555 W |
Number of Transistors | 1 |
Package Type | TO-247N |
Pin Count | 3 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1045 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.