DTC123JMT2L, SC-105AA Digital Transistors ROHS

Фото 1/3 DTC123JMT2L, SC-105AA Digital Transistors ROHS
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
1175 шт., срок 6-8 недель
16 руб.
Мин. кол-во для заказа 15 шт.
Кратность заказа 5 шт.
от 50 шт.14 руб.
от 150 шт.12 руб.
от 500 шт.10.55 руб.
15 шт. на сумму 240 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения4
Номенклатурный номер: 8008417414
Артикул: DTC123JMT2L
Бренд: Rohm

Описание

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - Pre-Biased
Описание Транзистор: NPN Характеристики
Категория Транзистор
Тип биполярный
Вид NPN

Технические параметры

Brand ROHM Semiconductor
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 50 V
Configuration Single
Continuous Collector Current 100 mA
DC Collector/Base Gain Hfe Min 80
DC Current Gain HFE Max 80
Factory Pack Quantity 8000
Height 0.5 mm
Length 1.2 mm
Manufacturer ROHM Semiconductor
Maximum Operating Temperature + 150 C
Minimum Operating Temperature - 55 C
Mounting Style SMD/SMT
Package / Case VMT-3
Packaging Cut Tape or Reel
Part # Aliases DTC123JM
Pd - Power Dissipation 150 mW
Peak DC Collector Current 100 mA
Product Category Bipolar Transistors - Pre-Biased
Product Type BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
Series DTC123JM
Subcategory Transistors
Transistor Polarity NPN
Typical Input Resistor 2.2 kOhms
Typical Resistor Ratio 21
Unit Weight 0.022011 oz
Width 0.8 mm
Pd - рассеивание мощности 150 mW
Вид монтажа SMD/SMT
Высота 0.5 mm
Длина 1.2 mm
Другие названия товара № DTC123JM
Категория продукта Биполярные транзисторы - С предварительно заданным
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) 80
Конфигурация Single
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. 80
Максимальная рабочая температура + 150 C
Минимальная рабочая температура 55 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 50 V
Непрерывный коллекторный ток 100 mA
Пиковый постоянный ток коллектора 100 mA
Подкатегория Transistors
Полярность транзистора NPN
Размер фабричной упаковки 8000
Серия DTC123JM
Тип продукта BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
Типичное входное сопротивление 2.2 kOhms
Типичный коэффициент деления резистора 21
Торговая марка ROHM Semiconductor
Упаковка / блок VMT-3
Ширина 0.8 mm
Base Product Number DTC123 ->
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 10mA, 5V
ECCN EAR99
Frequency - Transition 250MHz
HTSUS 8541.21.0075
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Mounting Type Surface Mount
Other Related Documents http://rohmfs.rohm.com/en/techdata_basic/transisto
Package Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Power - Max 150mW
REACH Status REACH Unaffected
Resistor - Base (R1) 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2) 47 kOhms
RoHS Status ROHS3 Compliant
Simulation Models http://rohmfs.rohm.com/en/products/library/spice/d
Supplier Device Package VMT3
Transistor Type NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 250ВµA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V

Техническая документация

Datasheet DTC123JMT2L
pdf, 1529 КБ

Дополнительная информация

Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.