NDP6060L
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
860 руб.
от 50 шт. —
590 руб.
от 100 шт. —
468 руб.
от 500 шт. —
387.23 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 860 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Описание
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 60В, 48А, 100Вт, TO220AB Характеристики
Категория | Транзистор |
Тип | полевой |
Вид | MOSFET |
Технические параметры
Brand: | onsemi/Fairchild |
Channel Mode: | Enhancement |
Configuration: | Single |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 50 |
Fall Time: | 161 ns |
Id - Continuous Drain Current: | 48 A |
Manufacturer: | onsemi |
Maximum Operating Temperature: | +175 C |
Minimum Operating Temperature: | -65 C |
Mounting Style: | Through Hole |
Number of Channels: | 1 Channel |
Package / Case: | TO-220-3 |
Packaging: | Tube |
Part # Aliases: | NDP6060L_NL |
Pd - Power Dissipation: | 100 W |
Product Category: | MOSFET |
Product Type: | MOSFET |
Qg - Gate Charge: | 60 nC |
Rds On - Drain-Source Resistance: | 25 mOhms |
Rise Time: | 320 ns |
Series: | NDP6060L |
Subcategory: | MOSFETs |
Technology: | Si |
Transistor Polarity: | N-Channel |
Transistor Type: | 1 N-Channel |
Type: | MOSFET |
Typical Turn-Off Delay Time: | 49 ns |
Typical Turn-On Delay Time: | 15 ns |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 60 V |
Vgs - Gate-Source Voltage: | -16 V, +16 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1 V |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 502 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов