BPW83
![Фото 1/3 BPW83](https://static.chipdip.ru/lib/811/DOC043811384.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/584/DOC033584158.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/211/DOC035211747.jpg)
380 руб.
от 2 шт. —
290 руб.
от 5 шт. —
242 руб.
от 10 шт. —
224.28 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 380 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Описание
Электроэлемент
Описание Фотодиод PIN 870-950nm 65°
Технические параметры
Dark Current | 30(nA) |
Fall Time | 100(ns) |
Lens Type | Epoxy |
Light Current | 45(uA) |
Mounting | Through Hole |
Operating Temp Range | -40C to 100C |
Operating Temperature Classification | Industrial |
Package Type | Side View |
Packaging | Bulk |
Peak Wavelength | 950(nm) |
Photodiode Material | Si |
Photodiode Type | PIN |
Pin Count | 2 |
Polarity | Forward |
Power Dissipation | 0.215(W) |
Rad Hardened | No |
Reverse Breakdown Voltage | 60(V) |
Rise Time | 100(ns) |
Type | Module |
Amplifier Function | No |
Breakdown Voltage | 60V |
Diode Material | Si |
Maximum Wavelength Detected | 1050nm |
Minimum Wavelength Detected | 790nm |
Mounting Type | Through Hole |
Number of Pins | 2 |
Series | BPW |
Short Circuit Current | 38µA |
Spectrums Detected | Infrared, Visible Light |
Typical Fall Time | 100ns |
Typical Rise Time | 100ns |
Wavelength of Peak Sensitivity | 950nm |
Width | 3mm |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 79 КБ
Документация
pdf, 74 КБ