SVF7N65CMJ, 650V 7A 90W 1.4 ё@10V,3.5A 4V@250uA N Channel TO-251-3 MOSFETs ROHS
![](https://static.chipdip.ru/images/layout/noimage/230px.png)
2895 шт., срок 6-8 недель
64 руб.
Кратность заказа 5 шт.
от 50 шт. —
52 руб.
от 150 шт. —
45 руб.
от 2500 шт. —
35.98 руб.
5 шт.
на сумму 320 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения1
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET
650V 7A 90W 1.4Ω@10V,3.5A 4V@250uA N Channel TO-251-3 MOSFETs ROHS
Технические параметры
Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C | 7A(Tc) |
Power Dissipation-Max (Ta=25В°C) | 90W(Tc) |
Rds On - Drain-Source Resistance | 1.4О© @ 3.5A,10V |
Transistor Polarity | N Channel |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 650V |
Vgs - Gate-Source Voltage | 4V @ 250uA |
Continuous Drain Current (Id) | 7A |
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 1.4Ω@10V, 3.5A |
Drain Source Voltage (Vdss) | 650V |
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 4V@250uA |
Power Dissipation (Pd) | 90W |
Type | N Channel |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 432 КБ
Datasheet SVF7N65CMJ
pdf, 626 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.