IKZA75N65SS5XKSA1
![Фото 1/3 IKZA75N65SS5XKSA1](https://static.chipdip.ru/lib/970/DOC029970013.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/484/DOC035484021.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/071/DOC045071281.jpg)
3 590 руб.
2 450 руб.
от 30 шт. —
1 810 руб.
1 шт.
на сумму 2 450 руб.
Плати частями
от 614 руб. × 4 платежа
от 614 руб. × 4 платежа
Описание
Биполярный транзистор IGBT, 650В 75А
Технические параметры
Collector Emitter Saturation Voltage | 1.35В |
Collector Emitter Voltage Max | 650В |
Continuous Collector Current | 80А |
Power Dissipation | 395Вт |
Количество Выводов | 4вывод(-ов) |
Линейка Продукции | TRENCHSTOP 5 S5 CoolSiC Gen VI |
Максимальная Рабочая Температура | 175°C |
Монтаж транзистора | Through Hole |
Стиль Корпуса Транзистора | TO-247 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1437 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов