FP200R12N3T7BPSA1
![FP200R12N3T7BPSA1](https://static.chipdip.ru/lib/264/DOC025264020.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
56 000 руб.
от 10 шт. —
48 830 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 56 000 руб.
Плати частями
от 14 000 руб. × 4 платежа
от 14 000 руб. × 4 платежа
Описание
The Infineon's EconoPIM 3, 200 A three phase PIM IGBT module comes with TRENCHSTOP IGBT7, Emitter Controlled 7 diode and NTC.
Технические параметры
Channel Type | N |
Configuration | 3 Phase |
Maximum Collector Emitter Voltage | 1200 V |
Maximum Continuous Collector Current | 200 A |
Maximum Gate Emitter Voltage | ±20V |
Maximum Power Dissipation | 20 mW |
Mounting Type | Chassis Mount |
Number of Transistors | 7 |
Package Type | Module |
Pin Count | 46 |
Transistor Configuration | 3 Phase |
Техническая документация
Datasheet FP200R12N3T7BPSA1
pdf, 576 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов