IKW08N120CS7XKSA1
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 380 руб.
от 30 шт. —
940 руб.
от 120 шт. —
754 руб.
1 шт.
на сумму 1 380 руб.
Плати частями
от 345 руб. × 4 платежа
от 345 руб. × 4 платежа
Описание
The Infineon's 8 A TRENCHSTOP IGBT7 S7 discrete comes in TO-247 package with EC7 diode inside. It offers low VCEsat to achieve very low conduction losses in target applications and the co-packed very soft and fast emitter controlled diode helps to minimize switching losses contributing to overall low total losses.
Технические параметры
| Channel Type | N |
| Configuration | Single |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 1200 V |
| Maximum Continuous Collector Current | 8 A |
| Maximum Gate Emitter Voltage | ±20V |
| Maximum Power Dissipation | 106 W |
| Mounting Type | Through Hole |
| Number of Transistors | 1 |
| Package Type | TO-247-3 |
| Pin Count | 3 |
| Transistor Configuration | Single |
Техническая документация
Datasheet IKW08N120CS7XKSA1
pdf, 1725 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
