IKW40N65RH5XKSA1
![Фото 1/2 IKW40N65RH5XKSA1](https://static.chipdip.ru/lib/165/DOC026165131.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/484/DOC035484021.jpg)
1 660 руб.
от 30 шт. —
1 240 руб.
от 120 шт. —
991 руб.
1 шт.
на сумму 1 660 руб.
Плати частями
от 415 руб. × 4 платежа
от 415 руб. × 4 платежа
Описание
The Infineon schottky barrier diode has ultra low switching losses due to the combination of TRENCHSTOPTM5 and CoolSiCTM technology.
Технические параметры
Configuration | Single |
Maximum Collector Emitter Voltage | 650 V |
Maximum Continuous Collector Current | 40 A |
Maximum Gate Emitter Voltage | 15V |
Maximum Power Dissipation | 250 W |
Number of Transistors | 2 |
Package Type | PG-TO247-3 |
Collector Emitter Saturation Voltage | 1.65В |
Collector Emitter Voltage Max | 650В |
Continuous Collector Current | 74А |
Power Dissipation | 250Вт |
Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
Линейка Продукции | TRENCHSTOP 5 H5 CoolSiC Gen VI |
Максимальная Рабочая Температура | 175°C |
Монтаж транзистора | Through Hole |
Стиль Корпуса Транзистора | TO-247 |
Техническая документация
Datasheet IKW40N65RH5XKSA1
pdf, 1559 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов