IKW40N65RH5XKSA1

Фото 1/2 IKW40N65RH5XKSA1
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
1 660 руб.
от 30 шт.1 240 руб.
от 120 шт.991 руб.
1 шт. на сумму 1 660 руб.
Плати частями
от 415 руб. × 4 платежа
Номенклатурный номер: 8008649806

Описание

The Infineon schottky barrier diode has ultra low switching losses due to the combination of TRENCHSTOPTM5 and CoolSiCTM technology.

Технические параметры

Configuration Single
Maximum Collector Emitter Voltage 650 V
Maximum Continuous Collector Current 40 A
Maximum Gate Emitter Voltage 15V
Maximum Power Dissipation 250 W
Number of Transistors 2
Package Type PG-TO247-3
Collector Emitter Saturation Voltage 1.65В
Collector Emitter Voltage Max 650В
Continuous Collector Current 74А
Power Dissipation 250Вт
Количество Выводов 3вывод(-ов)
Линейка Продукции TRENCHSTOP 5 H5 CoolSiC Gen VI
Максимальная Рабочая Температура 175°C
Монтаж транзистора Through Hole
Стиль Корпуса Транзистора TO-247

Техническая документация

Datasheet IKW40N65RH5XKSA1
pdf, 1559 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов