IXGX120N60A3

IXGX120N60A3
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
7 110 руб.
от 30 шт.4 830 руб.
от 120 шт.4 530 руб.
1 шт. на сумму 7 110 руб.
Плати частями
от 1 779 руб. × 4 платежа
Номенклатурный номер: 8008651361
Бренд: Ixys Corporation

Описание

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 120 Amps 600V

Технические параметры

Pd - рассеивание мощности 780 W
Вид монтажа Through Hole
Высота 21.34 mm
Диапазон рабочих температур 55 C to + 150 C
Длина 16.13 mm
Категория продукта Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I
Коммерческое обозначение GenX3
Конфигурация Single
Максимальная рабочая температура + 150 C
Максимальное напряжение затвор-эмиттер 20 V
Минимальная рабочая температура 55 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 600 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1.2 V
Непрерывный коллекторный ток 200 A
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 200 A
Непрерывный ток коллектора Ic, макс. 600 A
Подкатегория IGBTs
Размер фабричной упаковки 30
Серия IXGX120N60
Технология Si
Тип продукта IGBT Transistors
Ток утечки затвор-эмиттер 400 nA
Торговая марка IXYS
Упаковка Tube
Упаковка / блок PLUS 247-3
Ширина 5.21 mm

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов