G3R350MT12D

G3R350MT12D
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
8523 шт., срок 6-8 недель
1 430 руб.
от 10 шт.1 130 руб.
от 25 шт.1 040 руб.
от 100 шт.902.95 руб.
1 шт. на сумму 1 430 руб.
Плати частями
от 359 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения3
Номенклатурный номер: 8008657075

Описание

Vds:1.2Kv; No. Of Pins:3Pins; Rds(On) Test Voltage:15V; Power Dissipation:74W Rohs Compliant: Yes |Genesic Semiconductor G3R350MT12D

Технические параметры

Channel Type N Channel
Drain Source On State Resistance 0.35Ом
Power Dissipation 74Вт
Количество Выводов 3вывод(-ов)
Конфигурация МОП-транзистора Single
Линейка Продукции G3R
Максимальная Рабочая Температура 175°C
Напряжение Измерения Rds(on) 15В
Напряжение Истока-стока Vds 1.2кВ
Непрерывный Ток Стока 11А
Полярность Транзистора N Канал
Пороговое Напряжение Vgs 2.69В
Рассеиваемая Мощность 74Вт
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) 0.35Ом
Стиль Корпуса Транзистора TO-247
Вес, г 618

Техническая документация

Datasheet G3R350MT12D
pdf, 1126 КБ
Документация
pdf, 1167 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.