IGU04N60TAKMA1
![Фото 1/4 IGU04N60TAKMA1](https://static.chipdip.ru/lib/792/DOC043792512.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/986/DOC025986617.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/534/DOC033534419.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/534/DOC033534423.jpg)
310 руб.
от 75 шт. —
220 руб.
от 150 шт. —
167 руб.
от 525 шт. —
132.38 руб.
1 шт.
на сумму 310 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Описание
Описание Транзистор: IGBT, 600В, 4А, 42Вт, TO251 Характеристики
Категория | Транзистор |
Тип | БТИЗ |
Вид | IGBT |
Технические параметры
Maximum Collector Emitter Voltage | 600 V |
Maximum Continuous Collector Current | 4 A |
Maximum Gate Emitter Voltage | ±20.0V |
Maximum Power Dissipation | 42 W |
Package Type | TO-251 |
Collector Emitter Saturation Voltage | 1.5В |
Collector Emitter Voltage Max | 600В |
Continuous Collector Current | 9.5А |
Power Dissipation | 42Вт |
Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
Линейка Продукции | TRENCHSTOP |
Максимальная Рабочая Температура | 175°C |
Монтаж транзистора | Through Hole |
Стиль Корпуса Транзистора | TO-251 |
Техническая документация
Datasheet IGU04N60TAKMA1
pdf, 458 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов