IKFW90N60EH3XKSA1
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2 990 руб.
от 30 шт. —
2 130 руб.
от 120 шт. —
1 860 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 2 990 руб.
Плати частями
от 749 руб. × 4 платежа
от 749 руб. × 4 платежа
Описание
The Infineon IKFW90N60EH3 is Very soft, fast recovery anti-parallel diode and it used 100% isolated mounting surface and also has high speed switching.
Технические параметры
| Channel Type | N |
| Configuration | Single |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 600 V |
| Maximum Continuous Collector Current | 77 A |
| Maximum Gate Emitter Voltage | 30V |
| Maximum Power Dissipation | 178 W |
| Number of Transistors | 1 |
| Package Type | PG-TO247 |
| Pin Count | 3 |
| Transistor Configuration | Single |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 2009 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
