RE1J002YNTCL

RE1J002YNTCL
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
55444 шт., срок 6-8 недель
110 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 10 шт.74 руб.
от 100 шт.34 руб.
от 500 шт.26.77 руб.
2 шт. на сумму 220 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения2
Номенклатурный номер: 8008672455
Бренд: Rohm

Описание

Silicon Power MOSFETs

ROHM Semiconductor Silicon Power MOSFETs feature ultra-fast switching speeds and low on-resistance. These MOSFETs are available in a wide lineup of packages, including the miniature 0604 size to save space in various designs.

Технические параметры

Brand: ROHM Semiconductor
Channel Mode: Enhancement
Configuration: Single
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: 3000
Fall Time: 43 ns
Id - Continuous Drain Current: 200 mA
Manufacturer: ROHM Semiconductor
Maximum Operating Temperature: +150 C
Minimum Operating Temperature: -55 C
Mounting Style: SMD/SMT
Number of Channels: 1 Channel
Package / Case: SOT-416-3
Part # Aliases: RE1J002YN
Pd - Power Dissipation: 150 mW
Product Category: MOSFET
Product Type: MOSFET
Rds On - Drain-Source Resistance: 2.2 Ohms
Rise Time: 8 ns
Subcategory: MOSFETs
Technology: Si
Transistor Polarity: N-Channel
Transistor Type: 1 N-Channel MOSFET
Typical Turn-Off Delay Time: 17 ns
Typical Turn-On Delay Time: 5 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 50 V
Vgs - Gate-Source Voltage: -8 V, +8 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: 300 mV

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.