NCV57200DR2G
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
490 руб.
от 10 шт. —
410 руб.
от 25 шт. —
367 руб.
от 100 шт. —
284.29 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 490 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Описание
The ON Semiconductor high voltage gate driver with one non-isolated low side gate driver and one galvanic isolated high or low side gate driver.
Технические параметры
| IC Case / Package | SOIC |
| Задержка Выхода | 90нс |
| Задержка по Входу | 90нс |
| Количество Выводов | 8вывод(-ов) |
| Количество Каналов | 1канал(-ов) |
| Конфигурация Привода | Высокая Сторона и Низкая Сторона |
| Максимальная Рабочая Температура | 125 C |
| Максимальное Напряжение Питания | 20В |
| Минимальная Рабочая Температура | -40 C |
| Стиль Корпуса Привода | SOIC |
| Тип переключателя питания | IGBT |
| Ток истока | 1.9А |
| Ток стока | 2.3А |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Output Current | 1.9 A |
| Package Type | SOIC-8 |
| Pin Count | 8 |
| Supply Voltage | 20V |
Техническая документация
Datasheet NCV57200DR2G
pdf, 304 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Драйверы MOSFET и IGBT»
Типы корпусов импортных микросхем
