IKD10N60RFATMA1
![IKD10N60RFATMA1](https://static.chipdip.ru/lib/826/DOC044826051.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
490 руб.
от 10 шт. —
370 руб.
от 100 шт. —
266 руб.
от 500 шт. —
210.14 руб.
1 шт.
на сумму 490 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Описание
The Infineon RC-Drives 600 V, 10 A hard-switching IGBT3 with monolithically integrated reverse conducting diode in a TO252 package, has been developed by Infineon as a cost optimized solution for consumer drives market.
Технические параметры
Maximum Collector Emitter Voltage | 600 V |
Maximum Gate Emitter Voltage | ±20V |
Package Type | PG-TO252-3 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1627 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов