UJ4SC075011K4S, MOSFET 750V/11mOhms, SICFET,G4,TO247-4
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
578 шт., срок 6-8 недель
8 400 руб.
от 25 шт. —
6 260 руб.
от 100 шт. —
5 420 руб.
от 250 шт. —
4 583.30 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 8 400 руб.
Плати частями
от 2 100 руб. × 4 платежа
от 2 100 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения1
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET
High-Performance SiC FETsUnitedSiC / Qorvo High-Performance SiC FETs deliver best-in-class switching speed, lower switching losses, higher efficiency, and excellent cost-effectiveness. The components are offered in standard thru-hole (including Kelvin) and surface mount packages. The family comprises the UF4C/SC, UJ4C/SC, UJ3C, and UF3C/SC series and is based on a unique cascode configuration, where a high-performance SiC JFET is co-packaged with a cascode-optimized Si-MOSFET to produce a standard gate drive SiC device.
Технические параметры
| Brand: | Qorvo/UnitedSiC |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 30 |
| Id - Continuous Drain Current: | 104 A |
| Manufacturer: | Qorvo |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | TO-247-4 |
| Packaging: | Tube |
| Pd - Power Dissipation: | 357 W |
| Product Category: | JFET |
| Product Type: | JFETs |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 11 mOhms |
| Series: | UJ4SC |
| Subcategory: | Transistors |
| Technology: | SiC |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 750 V |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 589 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
