IKB15N60TATMA1, Транзистор IGBT, 600В, 23А, 130Вт, D2PAK
![IKB15N60TATMA1, Транзистор IGBT, 600В, 23А, 130Вт, D2PAK](https://static.chipdip.ru/lib/218/DOC040218161.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
820 руб.
от 5 шт. —
720 руб.
от 25 шт. —
541 руб.
от 100 шт. —
455.40 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 820 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Описание
Semiconductors\Transistors\IGBT transistors and modules\IGBT transistors
Технические параметры
Case | D2PAK |
Collector current | 23A |
Collector-emitter voltage | 600V |
Features of semiconductor devices | integrated anti-parallel diode |
Gate charge | 87nC |
Gate-emitter voltage | ±20V |
Kind of package | reel, tape |
Manufacturer | INFINEON TECHNOLOGIES |
Mounting | SMD |
Power dissipation | 130W |
Pulsed collector current | 45A |
Semiconductor structure | single transistor |
Technology | TRENCHSTOP™ |
Turn-off time | 238ns |
Turn-on time | 28ns |
Type of transistor | IGBT |
Вес, г | 1.69 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 696 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов