IR2113STRPBF, Драйвер ключей нижнего и верхнего уровней, [SO-16W]
![Фото 1/8 IR2113STRPBF, Драйвер ключей нижнего и верхнего уровней, [SO-16W]](https://static.chipdip.ru/lib/304/DOC005304597.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/395/DOC009395247.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/773/DOC043773775.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/805/DOC003805327.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/438/DOC004438746.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/229/DOC013229451.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/893/DOC023893987.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/893/DOC023893995.jpg)
330 руб.
от 5 шт. —
286 руб.
1 шт.
на сумму 330 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Описание
Описание IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; Ch: 2 Характеристики
Категория | Микросхема |
Технические параметры
Конфигурация | Half-Bridge | |
Тип канала | независимый | |
Кол-во каналов | 2 | |
Тип управляемого затвора | IGBT, N-CH MOSFET | |
Напряжение питания, В | 3.3…20 | |
Логическое напряжение (VIL), В | 6 | |
Логическое напряжение (VIH), В | 9.5 | |
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А | 2 | |
Пиковый выходной ток спада (Sink), А | 2 | |
Тип входа | неинвертирующий | |
Максимальное напряжение смещения, В | 600 | |
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс | 25 | |
Номинальное время затухания (Fall Time), нс | 17 | |
Рабочая температура, °C | -40…+150(TJ) | |
Корпус | SOIC-16(0.295 inch) | |
Вес, г | 1 |
Техническая документация
DataSheet IR2110
pdf, 379 КБ
Datasheet IR2110(-1-2)(S)PbF IR2113(-1-2)(S)
pdf, 328 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Драйверы MOSFET и IGBT»
Типы корпусов импортных микросхем