R6530KNX3C16, MOSFETs 650V 30A, TO-220AB, High-speed switching Power MOSFET
![R6530KNX3C16, MOSFETs 650V 30A, TO-220AB, High-speed switching Power MOSFET](https://static.chipdip.ru/lib/172/DOC012172665.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1064 шт., срок 5-7 недель
1 670 руб.
от 10 шт. —
1 500 руб.
от 50 шт. —
1 180 руб.
от 100 шт. —
1 004.62 руб.
1 шт.
на сумму 1 670 руб.
Плати частями
от 419 руб. × 4 платежа
от 419 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения1
Описание
Unclassified
Технические параметры
Channel Type | N Channel |
Drain Source On State Resistance | 0.125Ом |
Power Dissipation | 307Вт |
Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
Монтаж транзистора | Through Hole |
Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
Напряжение Истока-стока Vds | 650В |
Непрерывный Ток Стока | 30А |
Пороговое Напряжение Vgs | 5В |
Стиль Корпуса Транзистора | TO-220AB |
Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet R6530KNX3C16
pdf, 2406 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.