G3R45MT17D, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,7кВ; 43А; Idm: 160А; 438Вт
![Фото 1/2 G3R45MT17D, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,7кВ; 43А; Idm: 160А; 438Вт](https://static.chipdip.ru/lib/440/DOC047440483.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/389/DOC035389275.jpg)
18 шт., срок 6 недель
12 110 руб.
от 3 шт. —
10 470 руб.
от 10 шт. —
9 180 руб.
1 шт.
на сумму 12 110 руб.
Плати частями
от 3 029 руб. × 4 платежа
от 3 029 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения1
Технические параметры
Case | TO247-3 |
Drain current | 43A |
Drain-source voltage | 1.7kV |
Gate charge | 182nC |
Gate-source voltage | -5…15V |
Kind of channel | enhanced |
Kind of package | tube |
Manufacturer | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
Mounting | THT |
On-state resistance | 45mΩ |
Polarisation | unipolar |
Power dissipation | 438W |
Pulsed drain current | 160A |
Technology | G3R™, SiC |
Type of transistor | N-MOSFET |
Channel Type | N Channel |
Drain Source On State Resistance | 0.045Ом |
Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
Конфигурация МОП-транзистора | Single |
Линейка Продукции | G3R |
Максимальная Рабочая Температура | 175°C |
Напряжение Измерения Rds(on) | 15В |
Напряжение Истока-стока Vds | 1.7кВ |
Непрерывный Ток Стока | 61А |
Полярность Транзистора | N Канал |
Пороговое Напряжение Vgs | 2.7В |
Рассеиваемая Мощность | 438Вт |
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.045Ом |
Стиль Корпуса Транзистора | TO-247 |
Вес, г | 6.04 |
Техническая документация
Datasheet G3R45MT17D
pdf, 1084 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.