G3R75MT12K, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 29А; Idm: 80А; 207Вт
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
529 шт., срок 6 недель
4 000 руб.
от 3 шт. —
3 180 руб.
от 10 шт. —
2 590 руб.
от 30 шт. —
2 299.22 руб.
1 шт.
на сумму 4 000 руб.
Плати частями
от 1 000 руб. × 4 платежа
от 1 000 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения1
Описание
Semiconductors\Transistors\Unipolar transistors\N channel transistors
Технические параметры
| Case | TO247-4 |
| Drain current | 29A |
| Drain-source voltage | 1.2kV |
| Features of semiconductor devices | Kelvin terminal |
| Gate charge | 54nC |
| Gate-source voltage | -5…15V |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | tube |
| Manufacturer | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
| Mounting | THT |
| On-state resistance | 75mΩ |
| Polarisation | unipolar |
| Power dissipation | 207W |
| Pulsed drain current | 80A |
| Technology | G3R™, SiC |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Вес, г | 6.68 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 871 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
