G3R40MT12K, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 50А; Idm: 140А; 333Вт

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

303 шт., срок 6 недель

6 270 руб.

от 3 шт. — 5 080 руб.

от 10 шт. — 4 490 руб.

от 30 шт. — 4 015.65 руб.

1 шт. на сумму 6 270 руб.

Плати частями
от 1 569 руб. × 4 платежа

Альтернативные предложения2

Номенклатурный номер: 8008966357

Артикул: G3R40MT12K

Case	TO247-4
Drain current	50A
Drain-source voltage	1.2kV
Features of semiconductor devices	Kelvin terminal
Gate charge	106nC
Gate-source voltage	-5…15V
Kind of channel	enhanced
Kind of package	tube
Manufacturer	GeneSiC SEMICONDUCTOR
Mounting	THT
On-state resistance	40mΩ
Polarisation	unipolar
Power dissipation	333W
Pulsed drain current	140A
Technology	G3R™, SiC
Type of transistor	N-MOSFET
Channel Type	N Channel
Drain Source On State Resistance	0.04Ом
Количество Выводов	4вывод(-ов)
Конфигурация МОП-транзистора	Single
Линейка Продукции	G3R
Максимальная Рабочая Температура	175 C
Напряжение Измерения Rds(on)	15В
Напряжение Истока-стока Vds	1.2кВ
Непрерывный Ток Стока	71А
Полярность Транзистора	N Канал
Пороговое Напряжение Vgs	2.69В
Рассеиваемая Мощность	333Вт
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)	0.04Ом
Стиль Корпуса Транзистора	TO-247
Вес, г	6.57

pdf, 1084 КБ

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.

Мы рекомендуем