BSS123_R1_00001, MOSFETs 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET-ESD Protected

8364 шт., срок 5-7 недель
60 руб.
от 10 шт.43 руб.
от 100 шт.18 руб.
от 1000 шт.11.10 руб.
1 шт. на сумму 60 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения3
Номенклатурный номер: 8008974288
Артикул: BSS123_R1_00001

Описание

Unclassified
100V 170mA 500mW 6Ω@170mA,10V 2.5V@250uA 1PCSNChannel SOT-23 MOSFETs ROHS

Технические параметры

Continuous Drain Current (Id) 170mA
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) 6Ω@170mA, 10V
Drain Source Voltage (Vdss) 100V
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) 2.5V@250uA
Input Capacitance (Ciss@Vds) 45pF@25V
Operating Temperature -55℃~+150℃@(Tj)
Power Dissipation (Pd) 500mW
Total Gate Charge (Qg@Vgs) 1.8nC@10V
Type 1PCSNChannel

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.