BSS123_R1_00001, MOSFETs 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET-ESD Protected
![](https://static.chipdip.ru/images/layout/noimage/230px.png)
8364 шт., срок 5-7 недель
60 руб.
от 10 шт. —
43 руб.
от 100 шт. —
18 руб.
от 1000 шт. —
11.10 руб.
1 шт.
на сумму 60 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения3
Описание
Unclassified
100V 170mA 500mW 6Ω@170mA,10V 2.5V@250uA 1PCSNChannel SOT-23 MOSFETs ROHS
Технические параметры
Continuous Drain Current (Id) | 170mA |
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 6Ω@170mA, 10V |
Drain Source Voltage (Vdss) | 100V |
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 2.5V@250uA |
Input Capacitance (Ciss@Vds) | 45pF@25V |
Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) |
Power Dissipation (Pd) | 500mW |
Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 1.8nC@10V |
Type | 1PCSNChannel |
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.