FQPF13N50CF
![Фото 1/3 FQPF13N50CF](https://static.chipdip.ru/lib/652/DOC001652276.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/436/DOC004436575.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/516/DOC006516945.jpg)
450 руб.
от 2 шт. —
340 руб.
от 5 шт. —
293 руб.
от 10 шт. —
275.94 руб.
1 шт.
на сумму 450 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения1
Описание
Электроэлемент
MOSFET, N-CH, 500V, 13A, TO-220F-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:13A; Drain Source Voltage Vds:500V; On Resistance Rds(on):0.43ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:4V; Power Dissipation Pd:48W; Transistor Case Style:TO-220F; No. of Pins:3Pins; Operating Temperature Max:150°C; Product Range:-; Automotive Qualification Standard:-; MSL:-; SVHC:Lead (27-Jun-2018)
Технические параметры
Channel Mode | Enhancement |
Channel Type | N |
Lead Finish | Matte Tin |
Maximum Continuous Drain Current | 13 A |
Maximum Drain Source Voltage | 500 V |
Maximum Gate Source Voltage | ±30 V |
Mounting | Through Hole |
Operating Temperature | -55 to 150 °C |
RDS-on | 540@10V mOhm |
Typical Fall Time | 100 ns |
Typical Rise Time | 100 ns |
Typical Turn-Off Delay Time | 130 ns |
Typical Turn-On Delay Time | 25 ns |
Id - непрерывный ток утечки | 13 A |
Pd - рассеивание мощности | 48 W |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 540 mOhms |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 500 V |
Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V |
Вид монтажа | Through Hole |
Время нарастания | 100 ns |
Время спада | 100 ns |
Высота | 16.07 mm |
Длина | 10.36 mm |
Канальный режим | Enhancement |
Категория продукта | МОП-транзистор |
Количество каналов | 1 Channel |
Коммерческое обозначение | QFET |
Конфигурация | Single |
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 15 S |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Подкатегория | MOSFETs |
Полярность транзистора | N-Channel |
Размер фабричной упаковки | 1000 |
Серия | FQPF13N50CF |
Технология | Si |
Тип | MOSFET |
Тип продукта | MOSFET |
Тип транзистора | 1 N-Channel |
Типичное время задержки выключения | 130 ns |
Типичное время задержки при включении | 25 ns |
Торговая марка | ON Semiconductor / Fairchild |
Упаковка | Tube |
Упаковка / блок | TO-220FP-3 |
Ширина | 4.9 mm |
Вес, г | 3.143 |
Техническая документация
Datasheet FQPF13N50CF
pdf, 621 КБ
Datasheet FQPF13N50CF
pdf, 619 КБ
Datasheet FQP13N50C
pdf, 1210 КБ
HUF75545P3, HUF75545S3S
pdf, 695 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов