MMBT2222, 40V 300mW 600mA NPN SOT-23 Bipolar Transistors - BJT ROHS
![](https://static.chipdip.ru/images/layout/noimage/230px.png)
300000 шт., срок 6-8 недель
3 руб.
Мин. кол-во для заказа 100 шт.
Кратность заказа 50 шт.
от 500 шт. —
2 руб.
от 3000 шт. —
1.50 руб.
от 6000 шт. —
1.32 руб.
100 шт.
на сумму 300 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения1
Описание
40V 300mW 600mA NPN SOT-23 Bipolar Transistors - BJT ROHS
Технические параметры
Collector Current (Ic) | 600mA |
Collector Cut-Off Current (Icbo) | 100nA |
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 40V |
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 1V@500mA, 50mA |
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 100@150mA, 10V |
Operating Temperature | - |
Power Dissipation (Pd) | 250mW |
Transistor Type | NPN |
Transition Frequency (fT) | 300MHz |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 839 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.