1N4148TA, DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
3 руб.
Кратность заказа 100 шт.
от 2000 шт. —
2.10 руб.
от 5000 шт. —
1.67 руб.
100 шт.
на сумму 300 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Посмотреть аналоги13
Описание
Описание Диод: импульсный, THT, 100В, 0,2А, Ammo Pack, Ifsm: 1А, DO35 Характеристики
| Категория | Диод |
| Тип | импульсный |
| Монтаж | THT |
| Корпус | DO35 |
Технические параметры
| Diameter | 1.91mm |
| Diode Configuration | Single |
| Diode Technology | Silicon Junction |
| Maximum Diode Capacitance | 4pF |
| Maximum Forward Current | 400mA |
| Maximum Forward Voltage Drop | 1V |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Maximum Reverse Voltage | 100V |
| Minimum Operating Temperature | -65 °C |
| Mounting Type | Through Hole |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | DO-35 |
| Pin Count | 2 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 202 КБ
Диоды импортные
pdf, 304 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Диоды импульсные»
Типы корпусов импортных диодов
