G3R45MT17D, SiC MOSFETs 1700V 45mohm TO-247-3 G3R SiC MOSFET

Фото 1/2 G3R45MT17D, SiC MOSFETs 1700V 45mohm TO-247-3 G3R SiC MOSFET
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
387 шт., срок 5-7 недель
8 650 руб.
от 10 шт.7 190 руб.
от 30 шт.6 470 руб.
от 120 шт.6 135.51 руб.
1 шт. на сумму 8 650 руб.
Плати частями
от 2 164 руб. × 4 платежа
Номенклатурный номер: 8009031265
Артикул: G3R45MT17D

Описание

Unclassified

Технические параметры

Channel Type N Channel
Drain Source On State Resistance 0.045Ом
Power Dissipation 438Вт
Количество Выводов 3вывод(-ов)
Конфигурация МОП-транзистора Single
Линейка Продукции G3R
Максимальная Рабочая Температура 175°C
Напряжение Измерения Rds(on) 15В
Напряжение Истока-стока Vds 1.7кВ
Непрерывный Ток Стока 61А
Полярность Транзистора N Канал
Пороговое Напряжение Vgs 2.7В
Рассеиваемая Мощность 438Вт
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) 0.045Ом
Стиль Корпуса Транзистора TO-247
Case TO247-3
Drain current 43A
Drain-source voltage 1.7kV
Gate charge 182nC
Gate-source voltage -5…15V
Kind of channel enhanced
Kind of package tube
Manufacturer GeneSiC SEMICONDUCTOR
Mounting THT
On-state resistance 45mΩ
Polarisation unipolar
Pulsed drain current 160A
Technology G3R™, SiC
Type of transistor N-MOSFET
Вес, г 1

Техническая документация

Datasheet G3R45MT17D
pdf, 1084 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.