G3R40MT12K, SiC MOSFETs 1200V 40mohm TO-247-4 G3R SiC MOSFET

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

274 шт., срок 5-7 недель

4 760 руб.

от 10 шт. — 4 130 руб.

от 30 шт. — 3 730 руб.

от 120 шт. — 3 285.05 руб.

1 шт. на сумму 4 760 руб.

Плати частями
от 1 190 руб. × 4 платежа

Альтернативные предложения2

Номенклатурный номер: 8009036989

Артикул: G3R40MT12K

Unclassified

Channel Type	N Channel
Drain Source On State Resistance	0.04Ом
Power Dissipation	333Вт
Количество Выводов	4вывод(-ов)
Конфигурация МОП-транзистора	Single
Линейка Продукции	G3R
Максимальная Рабочая Температура	175 C
Напряжение Измерения Rds(on)	15В
Напряжение Истока-стока Vds	1.2кВ
Непрерывный Ток Стока	71А
Полярность Транзистора	N Канал
Пороговое Напряжение Vgs	2.69В
Рассеиваемая Мощность	333Вт
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)	0.04Ом
Стиль Корпуса Транзистора	TO-247
Case	TO247-4
Drain current	50A
Drain-source voltage	1.2kV
Features of semiconductor devices	Kelvin terminal
Gate charge	106nC
Gate-source voltage	-5…15V
Kind of channel	enhanced
Kind of package	tube
Manufacturer	GeneSiC SEMICONDUCTOR
Mounting	THT
On-state resistance	40mΩ
Polarisation	unipolar
Pulsed drain current	140A
Technology	G3R™, SiC
Type of transistor	N-MOSFET
Вес, г	1

pdf, 1084 КБ

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.

Мы рекомендуем