2SK3019, 30V 100mA 8 ё@4V,10mA 150mW 1.5V@100uA N Channel SOT-523-3 MOSFETs ROHS
300000 шт., срок 6-8 недель
5 руб.
Кратность заказа 50 шт.
от 500 шт. —
4 руб.
от 2500 шт. —
2.90 руб.
от 3000 шт. —
2.38 руб.
50 шт.
на сумму 250 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения1
Описание
30V 100mA 8Ω@4V,10mA 150mW 1.5V@100uA N Channel SOT-523-3 MOSFETs ROHS
Технические параметры
| Continuous Drain Current (Id) | 100mA |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 8Ω@4.5V, 10mA |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 1.5V@100uA |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 13pF@5V |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) |
| Power Dissipation (Pd) | 150mW |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 4pF@5V |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | - |
| Type | N Channel |
| Вес, г | 47 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 562 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
