RTR025N03TL
![RTR025N03TL](https://static.chipdip.ru/lib/506/DOC016506046.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
58 шт. со склада г.Москва, срок 6-7 дней
160 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 5 шт. —
110 руб.
от 10 шт. —
93 руб.
2 шт.
на сумму 320 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения3
Описание
Электроэлемент
30V 2.5A 92m-@4.5V,2.5A 1W 1.5V@1mA N Channel TSMT-3 MOSFETs
Технические параметры
Brand | ROHM Semiconductor |
Channel Mode | Enhancement |
Configuration | Single |
Factory Pack Quantity | 3000 |
Fall Time | 10 ns |
Height | 0.85 mm |
Id - Continuous Drain Current | 2.5 A |
Length | 2.9 mm |
Manufacturer | ROHM Semiconductor |
Maximum Operating Temperature | +150 C |
Minimum Operating Temperature | -55 C |
Mounting Style | SMD/SMT |
Number of Channels | 1 Channel |
Package / Case | SOT-23-3 |
Packaging | Reel |
Pd - Power Dissipation | 1 W |
Product Category | MOSFET |
Rds On - Drain-Source Resistance | 950 mOhms |
Rise Time | 15 ns |
RoHS | Details |
Series | RTR025N03 |
Technology | Si |
Transistor Polarity | N-Channel |
Transistor Type | 1 N-Channel |
Type | MOSFET |
Typical Turn-Off Delay Time | 25 ns |
Typical Turn-On Delay Time | 9 ns |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 30 V |
Vgs - Gate-Source Voltage | 12 V |
Width | 1.6 mm |
Brand: | ROHM Semiconductor |
Channel Mode: | Enhancement |
Configuration: | Single |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
Fall Time: | 10 ns |
Id - Continuous Drain Current: | 2.5 A |
Manufacturer: | ROHM Semiconductor |
Maximum Operating Temperature: | +150 C |
Minimum Operating Temperature: | -55 C |
Mounting Style: | SMD/SMT |
Number of Channels: | 1 Channel |
Package / Case: | SOT-346T-3 |
Part # Aliases: | RTR025N03 |
Pd - Power Dissipation: | 1 W |
Product Category: | MOSFET |
Product Type: | MOSFET |
Qg - Gate Charge: | 3.3 nC |
Rds On - Drain-Source Resistance: | 950 mOhms |
Rise Time: | 15 ns |
Series: | RTR025N03 |
Subcategory: | MOSFETs |
Technology: | Si |
Transistor Polarity: | N-Channel |
Transistor Type: | 1 N-Channel |
Type: | MOSFET |
Typical Turn-Off Delay Time: | 25 ns |
Typical Turn-On Delay Time: | 9 ns |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 30 V |
Vgs - Gate-Source Voltage: | -12 V, +12 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.5 V |
Вес, г | 1.7 |
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.