MMBTA10, 25V 200mW 60@4mA,10V 100mA NPN TO-236-3 Bipolar Transistors - BJT ROHS
2700 шт., срок 6-8 недель
8 руб.
Кратность заказа 50 шт.
от 500 шт. —
6 руб.
от 2500 шт. —
5.10 руб.
50 шт.
на сумму 400 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения1
Описание
25V 200mW 60@4mA,10V 100mA NPN TO-236-3 Bipolar Transistors - BJT ROHS
Технические параметры
| Collector Current (Ic) | 100mA |
| Collector Cut-Off Current (Icbo) | 100nA |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 25V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 500mV@4mA, 400uA |
| DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 60@4mA, 10V |
| Operating Temperature | - |
| Power Dissipation (Pd) | 200mW |
| Transistor Type | NPN |
| Transition Frequency (fT) | 650MHz |
| Вес, г | 1 |
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
