C3M0120090D
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
838 шт., срок 6-8 недель
3 340 руб.
от 30 шт. —
2 380 руб.
от 120 шт. —
2 090 руб.
от 510 шт. —
1 886.52 руб.
1 шт.
на сумму 3 340 руб.
Плати частями
от 835 руб. × 4 платежа
от 835 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 8009204189
Бренд: WOLFSPEED
Описание
Описание Транзистор полевой C3M0120090D производства Wolfspeed – это высококачественный N-MOSFET компонент, предназначенный для монтажа в отверстия (THT). Отличается высокой надежностью и долговечностью в работе. Транзистор способен выдерживать ток стока до 23 А и напряжение сток-исток до 900 В, что делает его идеальным выбором для мощных применений. Сопротивление в открытом состоянии составляет всего 0,12 Ом, обеспечивая высокую эффективность. Мощность устройства достигает 97 Вт. Транзистор упакован в надежный корпус TO247-3, гарантирующий его устойчивость к физическим воздействиям и перегреву. Используйте C3M0120090D для повышения эффективности ваших электронных проектов. Код товара для удобства поиска и заказа: C3M0120090D. Характеристики
Категория | Транзистор |
Тип | полевой |
Вид | N-MOSFET |
Монтаж | THT |
Ток стока, А | 23 |
Напряжение сток-исток, В | 900 |
Мощность, Вт | 97 |
Сопротивление в открытом состоянии, Ом | 0.12 |
Корпус | TO247-3 |
Технические параметры
Channel Mode | Enhancement |
Channel Type | N |
Forward Diode Voltage | 4.8V |
Maximum Continuous Drain Current | 23 A |
Maximum Drain Source Resistance | 155 mΩ |
Maximum Drain Source Voltage | 900 V |
Maximum Gate Source Voltage | -8 V, +18 V |
Maximum Gate Threshold Voltage | 3.5V |
Maximum Operating Temperature | +150 °C |
Maximum Power Dissipation | 97 W |
Minimum Gate Threshold Voltage | 1.8V |
Minimum Operating Temperature | -55 °C |
Mounting Type | Through Hole |
Number of Elements per Chip | 1 |
Package Type | TO-247 |
Pin Count | 3 |
Transistor Configuration | Single |
Transistor Material | SiC |
Typical Gate Charge @ Vgs | 17.3 nC @ 15 V |
Width | 21.1mm |
Brand: | MACOM |
Channel Mode: | Enhancement |
Configuration: | Single |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 30 |
Fall Time: | 8 ns |
Id - Continuous Drain Current: | 23 A |
Manufacturer: | MACOM |
Maximum Operating Temperature: | +150 C |
Minimum Operating Temperature: | -55 C |
Mounting Style: | Through Hole |
Number of Channels: | 1 Channel |
Package/Case: | TO-247-3 |
Packaging: | Tube |
Pd - Power Dissipation: | 97 W |
Product Category: | MOSFET |
Product Type: | MOSFET |
Product: | Power MOSFETs |
Qg - Gate Charge: | 17.3 nC |
Rds On - Drain-Source Resistance: | 120 mOhms |
REACH - SVHC: | Details |
Rise Time: | 10 ns |
Subcategory: | MOSFETs |
Technology: | SiC |
Transistor Polarity: | N-Channel |
Type: | Silicon Carbide MOSFET |
Typical Turn-Off Delay Time: | 25 ns |
Typical Turn-On Delay Time: | 27 ns |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 900 V |
Vgs - Gate-Source Voltage: | -8 V, +19 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2.1 V |
Вес, г | 80 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet C3M0120090D
pdf, 943 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.