C3M0021120D
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1158 шт., срок 6-8 недель
10 840 руб.
от 30 шт. —
7 670 руб.
от 120 шт. —
7 160 руб.
1 шт.
на сумму 10 840 руб.
Плати частями
от 2 710 руб. × 4 платежа
от 2 710 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения2
Номенклатурный номер: 8009204289
Бренд: WOLFSPEED
Описание
The C3M0021120D is a 1200V silicon carbide power MOSFET in a 3 pin TO-247 package. The 3rd generation planar MOSFET technology includes a rugged intrinsic body diode which allows for 3rd quadrant operation without the need for an additional external diode.
• Industry-leading 21mR RDS(on)
• High-speed switching with low output capacitance
• High blocking voltage with low RDS(on)
• Fast intrinsic diode with low reverse recovery (Qrr)
• Easy to parallel and simple to drive
Технические параметры
| Channel Type | N Channel |
| Drain Source On State Resistance | 0.021Ом |
| Power Dissipation | 469Вт |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Конфигурация МОП-транзистора | Single |
| Линейка Продукции | C3M |
| Максимальная Рабочая Температура | 175°C |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 15В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 1.2кВ |
| Непрерывный Ток Стока | 100А |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 2.5В |
| Рассеиваемая Мощность | 469Вт |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.021Ом |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-247 |
Техническая документация
Datasheet C3M0021120D
pdf, 800 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
