FDPC5018SG, МОП-транзистор
![Фото 1/2 FDPC5018SG, МОП-транзистор](https://static.chipdip.ru/lib/662/DOC004662868.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/514/DOC027514859.jpg)
1 170 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 1 170 руб.
Плати частями
от 294 руб. × 4 платежа
от 294 руб. × 4 платежа
Технические параметры
Channel Type | N Channel |
Drain Source On State Resistance N Channel | 0.0014Ом |
Drain Source On State Resistance P Channel | 0.0014Ом |
Power Dissipation N Channel | 29Вт |
Power Dissipation P Channel | 29Вт |
Количество Выводов | 8вывод(-ов) |
Линейка Продукции | PowerTrench Series |
Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
Монтаж транзистора | Surface Mount |
Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
Напряжение Истока-стока Vds | 30В |
Напряжение Истока-стока Vds, N Канал | 30В |
Напряжение Истока-стока Vds, P Канал | 30В |
Непрерывный Ток Стока | 109А |
Непрерывный Ток Стока, N Канал | 109А |
Непрерывный Ток Стока, P Канал | 109А |
Полярность Транзистора | N Канал |
Пороговое Напряжение Vgs | 1.6В |
Рассеиваемая Мощность | 29Вт |
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.0014Ом |
Стиль Корпуса Транзистора | PQFN |
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
Вес, г | 0.5 |
Техническая документация
Datasheet FDPC5018SG
pdf, 457 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов