C3M0032120D, Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 63A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1187 шт., срок 5-7 недель
4 070 руб.
Мин. кол-во для заказа 8 шт.
от 10 шт. —
4 030 руб.
от 25 шт. —
3 990 руб.
8 шт.
на сумму 32 560 руб.
Плати частями
от 8 140 руб. × 4 платежа
от 8 140 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения2
Описание
Diodes, Transistors and Thyristors\FET Transistors\MOSFETs
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 63A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Технические параметры
Automotive | Unknown |
Channel Mode | Enhancement |
Channel Type | N |
Configuration | Single |
ECCN (US) | EAR99 |
EU RoHS | Compliant with Exemption |
Lead Shape | Through Hole |
Material | SiC |
Maximum Continuous Drain Current (A) | 63 |
Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 43@15V |
Maximum Drain Source Voltage (V) | 1200 |
Maximum Gate Source Leakage Current (nA) | 250 |
Maximum Gate Source Voltage (V) | 15 |
Maximum Gate Threshold Voltage (V) | 3.6 |
Maximum IDSS (uA) | 50 |
Maximum Operating Temperature (°C) | 175 |
Maximum Positive Gate Source Voltage (V) | 15 |
Maximum Power Dissipation (mW) | 283000 |
Maximum Pulsed Drain Current @ TC=25°C (A) | 120 |
Minimum Gate Threshold Voltage (V) | 1.8 |
Minimum Operating Temperature (°C) | -40 |
Mounting | Through Hole |
Number of Elements per Chip | 1 |
Operating Junction Temperature (°C) | -40 to 175 |
Packaging | Tube |
Part Status | Active |
PCB changed | 3 |
Pin Count | 3 |
PPAP | Unknown |
Process Technology | C3M |
Product Category | Power MOSFET |
Standard Package Name | TO |
Supplier Package | TO-247 |
Tab | Tab |
Typical Diode Forward Voltage (V) | 4.6 |
Typical Fall Time (ns) | 19 |
Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 114@15V |
Typical Gate Plateau Voltage (V) | 7 |
Typical Gate Threshold Voltage (V) | 2.5 |
Typical Gate to Drain Charge (nC) | 40 |
Typical Gate to Source Charge (nC) | 35 |
Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 3357@1000V |
Typical Output Capacitance (pF) | 129 |
Typical Reverse Recovery Charge (nC) | 848 |
Typical Reverse Recovery Time (ns) | 69 |
Typical Reverse Transfer Capacitance @ Vds (pF) | 8@1000V |
Typical Rise Time (ns) | 22 |
Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 39 |
Typical Turn-On Delay Time (ns) | 107 |
Drain Source On State Resistance | 0.032Ом |
Power Dissipation | 283Вт |
Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
Конфигурация МОП-транзистора | Single |
Линейка Продукции | C3M |
Максимальная Рабочая Температура | 175°C |
Напряжение Измерения Rds(on) | 15В |
Напряжение Истока-стока Vds | 1.2кВ |
Непрерывный Ток Стока | 63А |
Полярность Транзистора | N Канал |
Пороговое Напряжение Vgs | 2.5В |
Рассеиваемая Мощность | 283Вт |
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.032Ом |
Стиль Корпуса Транзистора | TO-247 |
Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 730 КБ
Datasheet C3M0032120D
pdf, 786 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.