APT35GP120J, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 29А; SOT227B
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
13 340 руб.
1 шт.
на сумму 13 340 руб.
Плати частями
от 3 335 руб. × 4 платежа
от 3 335 руб. × 4 платежа
Описание
Semiconductors\Discrete semiconductors modules\IGBT modules\Semiconductors
Технические параметры
| Case | SOT227B |
| Collector current | 29A |
| Electrical mounting | screw |
| Gate-emitter voltage | ±30V |
| Manufacturer | MICROCHIP(MICROSEMI) |
| Max. off-state voltage | 1.2kV |
| Mechanical mounting | screw |
| Pulsed collector current | 140A |
| Semiconductor structure | single transistor |
| Technology | POWER MOS 7®, PT |
| Type of module | IGBT |
| Вес, г | 36.44 |
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
