APT25GP120BG, Транзистор: IGBT; PT; 1,2кВ; 33А; 417Вт; TO247-3
![APT25GP120BG, Транзистор: IGBT; PT; 1,2кВ; 33А; 417Вт; TO247-3](https://static.chipdip.ru/lib/769/DOC034769643.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
5 380 руб.
от 3 шт. —
4 460 руб.
от 10 шт. —
3 730 руб.
1 шт.
на сумму 5 380 руб.
Плати частями
от 1 345 руб. × 4 платежа
от 1 345 руб. × 4 платежа
Технические параметры
Case | TO247-3 |
Collector current | 33A |
Collector-emitter voltage | 1.2kV |
Gate charge | 110nC |
Gate-emitter voltage | ±20V |
Kind of package | tube |
Manufacturer | MICROCHIP(MICROSEMI) |
Mounting | THT |
Power dissipation | 417W |
Pulsed collector current | 90A |
Technology | POWER MOS 7®, PT |
Turn-off time | 197ns |
Turn-on time | 26ns |
Type of transistor | IGBT |
Вес, г | 6.06 |
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов