MT53E512M32D1ZW-046 WT:B, DRAM Chip Mobile LPDDR4 SDRAM 16Gbit 512Mx32 1.1V/1.8V 200-Pin TFBGA T/R/Tray
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
4 880 руб.
Мин. кол-во для заказа 7 шт.
7 шт.
на сумму 34 160 руб.
Плати частями
от 8 540 руб. × 4 платежа
от 8 540 руб. × 4 платежа
Описание
Memory\RAM\DRAM Chips (Dynamic Random Access Memory)
DRAM Chip Mobile LPDDR4 SDRAM 16Gbit 512Mx32 1.1V/1.8V 200-Pin TFBGA T/R/Tray
Технические параметры
| Automotive | Unknown |
| Chip Density (bit) | 16G |
| DRAM Type | Mobile LPDDR4 SDRAM |
| ECCN (US) | EAR99 |
| EU RoHS | Compliant |
| Interface Type | LVSTL |
| Lead Shape | Ball |
| Maximum Access Time (ns) | 3.5 |
| Maximum Clock Rate (MHz) | 4266 |
| Maximum Operating Supply Voltage (V) | 1.17|1.95 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 85 |
| Minimum Operating Supply Voltage (V) | 1.06|1.7 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -25 |
| Mounting | Surface Mount |
| Number of Bits/Word (bit) | 32 |
| Number of I/O Lines (bit) | 32 |
| Number of Internal Banks | 8 |
| Number of Words per Bank | 64M |
| Operating Current (mA) | 400 |
| Organization | 512Mx32 |
| Part Status | Active |
| PCB changed | 200 |
| Pin Count | 200 |
| PPAP | Unknown |
| Process Technology | CMOS |
| Standard Package Name | BGA |
| Supplier Package | TFBGA |
| IC Case / Package | TFBGA |
| Memory Configuration | 512M x 32bit |
| Количество Выводов | 200вывод(-ов) |
| Линейка Продукции | PW Series |
| Максимальная Рабочая Температура | 85°C |
| Максимальная Тактовая Частота | 2.133ГГц |
| Минимальная Рабочая Температура | -25°C |
| Монтаж Микросхемы | SMD(Поверхностный Монтаж) |
| Номинальное Напряжение Питания | 1.1В |
| Плотность Памяти | 16Гбит |
| Тип DRAM | Mobile LPDDR4 |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 3-168 часов |
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Микросхемы памяти»
Типы корпусов импортных микросхем
