IHW15N120E1XKSA1, Транзистор IGBT, TRENCHSTOP™ RC, 1,2кВ, 15А, 62,2Вт, TO247-3
![Фото 1/4 IHW15N120E1XKSA1, Транзистор IGBT, TRENCHSTOP™ RC, 1,2кВ, 15А, 62,2Вт, TO247-3](https://static.chipdip.ru/lib/769/DOC034769643.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/257/DOC015257304.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/627/DOC026627597.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/517/DOC006517015.jpg)
800 руб.
от 3 шт. —
710 руб.
от 10 шт. —
545 руб.
от 30 шт. —
452.44 руб.
1 шт.
на сумму 800 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Описание
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT PRODUCTS
Технические параметры
Case | TO247-3 |
Collector current | 15A |
Collector-emitter voltage | 1.2kV |
Features of semiconductor devices | reverse conducting IGBT(RC-IGBT) |
Gate charge | 90nC |
Gate-emitter voltage | ±20V |
Kind of package | tube |
Manufacturer | INFINEON TECHNOLOGIES |
Mounting | THT |
Power dissipation | 62.2W |
Pulsed collector current | 45A |
Technology | TRENCHSTOP™ RC |
Turn-off time | 1450ns |
Turn-on time | 1940ns |
Type of transistor | IGBT |
Pd - рассеивание мощности | 156 W |
Вид монтажа | Through Hole |
Другие названия товара № | IHW15N120E1 SP001391908 |
Категория продукта | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I |
Конфигурация | Single |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Максимальное напряжение затвор-эмиттер | 20 V |
Минимальная рабочая температура | 40 C |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 1.2 kV |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.5 V |
Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 30 A |
Непрерывный ток коллектора Ic, макс. | 30 A |
Подкатегория | IGBTs |
Размер фабричной упаковки | 240 |
Серия | IGBT RC Soft Switching |
Технология | Si |
Тип продукта | IGBT Transistors |
Ток утечки затвор-эмиттер | 100 nA |
Торговая марка | Infineon Technologies |
Упаковка | Tube |
Упаковка / блок | TO-247-3 |
Automotive | No |
Channel Type | N |
Configuration | Single |
ECCN (US) | EAR99 |
EU RoHS | Compliant |
Lead Shape | Through Hole |
Maximum Collector-Emitter Voltage (V) | 1200 |
Maximum Continuous Collector Current (A) | 30 |
Maximum Gate Emitter Leakage Current (uA) | 0.1 |
Maximum Gate Emitter Voltage (V) | ±20 |
Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
Maximum Power Dissipation (mW) | 156000 |
Minimum Operating Temperature (°C) | -40 |
Packaging | Tube |
Part Status | Active |
PCB changed | 3 |
Pin Count | 3 |
PPAP | No |
Standard Package Name | TO-247 |
Supplier Package | TO-247 |
Tab | Tab |
Typical Collector Emitter Saturation Voltage (V) | 1.5 |
Brand | Infineon Technologies |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 1.2 kV |
Collector-Emitter Saturation Voltage | 1.5 V |
Continuous Collector Current at 25 C | 30 A |
Continuous Collector Current Ic Max | 30 A |
Factory Pack Quantity | 240 |
Gate-Emitter Leakage Current | 100 nA |
Maximum Gate Emitter Voltage | +/-20 V |
Maximum Operating Temperature | +150 C |
Minimum Operating Temperature | -40 C |
Mounting Style | Through Hole |
Package / Case | TO-247-3 |
Part # Aliases | IHW15N120E1 |
Pd - Power Dissipation | 156 W |
Product Category | IGBT Transistors |
RoHS | Details |
Maximum Collector Emitter Voltage | 1200 V |
Maximum Continuous Collector Current | 30 A |
Maximum Power Dissipation | 156 W |
Number of Transistors | 1 |
Package Type | PG-TO247 |
Transistor Configuration | Single |
Вес, г | 6.1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1900 КБ
Datasheet IHW15N120E1XKSA1
pdf, 1897 КБ
Datasheet IHW15N120E1XKSA1
pdf, 1994 КБ
Datasheet IHW15N120E1XKSA1
pdf, 2010 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов