NTE3323, Транзистор IGBT, 1,2кВ, 25А, 200Вт, TO3P
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
9 шт., срок 6 недель
8 860 руб.
от 3 шт. —
7 130 руб.
1 шт.
на сумму 8 860 руб.
Плати частями
от 2 215 руб. × 4 платежа
от 2 215 руб. × 4 платежа
Описание
Semiconductors\Transistors\IGBT transistors and modules\IGBT transistors
Технические параметры
| Case | TO3P |
| Collector current | 25A |
| Collector-emitter voltage | 1.2kV |
| Gate-emitter voltage | ±20V |
| Manufacturer | NTE Electronics |
| Mounting | THT |
| Power dissipation | 200W |
| Pulsed collector current | 50A |
| Turn-off time | 0.8µs |
| Turn-on time | 0.4µs |
| Type of transistor | IGBT |
| Вес, г | 9.43 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 55 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
