Dual SiC N-Channel MOSFET, 193 A, 1200 V, 7-Pin Half Bridge CAS120M12BM2
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
6 шт., срок 6 недель
Бесплатная доставка 5Post, СДЭК и Я.Доставка
160 500 руб.
1 шт.
на сумму 160 500 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения2
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\MOSFETs
Silicon Carbide power MOSFET modules from Wolfspeed, the power division of Cree Inc. These SiC MOSFET modules are housed in industrial standard packages and are available in Half-bridge (2 MOSFETs) and 3-phase (6 MOSFETs) formats; they also include SiC reverse recovery diodes.
Технические параметры
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Forward Diode Voltage | 2.4V |
| Maximum Continuous Drain Current | 193 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 30 mΩ |
| Maximum Drain Source Voltage | 1200 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -10 V, +25 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 2.6V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 925 W |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1.8V |
| Minimum Operating Temperature | -40 °C |
| Mounting Type | Screw Mount |
| Number of Elements per Chip | 2 |
| Package Type | Half Bridge |
| Pin Count | 7 |
| Transistor Configuration | Series |
| Transistor Material | SiC |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 378 nC @ 20 V |
| Width | 61.4mm |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
