SiC N-Channel MOSFET, 35 A, 1000 V, 4-Pin TO-247-4 C3M0065100K
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
23 шт., срок 6 недель
4 910 руб.
1 шт.
на сумму 4 910 руб.
Плати частями
от 1 229 руб. × 4 платежа
от 1 229 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения1
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\MOSFETs
New C3M Silicon Carbide (SiC) MOSFET technology Minimum of 1000 V Drain-Source Breakdown Voltage across the entire operating temperature range
Технические параметры
Channel Mode | Enhancement |
Channel Type | N |
Forward Diode Voltage | 4.8V |
Maximum Continuous Drain Current | 35 A |
Maximum Drain Source Resistance | 90 mΩ |
Maximum Drain Source Voltage | 1000 V |
Maximum Gate Source Voltage | -8 V, +19 V |
Maximum Gate Threshold Voltage | 3.5V |
Maximum Operating Temperature | +150 °C |
Maximum Power Dissipation | 113.5 W |
Minimum Gate Threshold Voltage | 1.8V |
Minimum Operating Temperature | -55 °C |
Mounting Type | Through Hole |
Number of Elements per Chip | 1 |
Package Type | TO-247-4 |
Pin Count | 4 |
Series | C3M |
Transistor Material | SiC |
Typical Gate Charge @ Vgs | 35 nC @ 15 V, 35 nC @ 4 V |
Width | 5.21mm |
Вес, г | 6.61 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.